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EVERSPIN MR2A08

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Everspin 48-ball BGA MRAM Packages

EVERSPIN -  Package Information  - Revision 2.2  - 4/2018   Part# :MR2A08,MR0A08,MR0A16,MR4A16,MR256DL08,MR2A16,MR0DL08,MR256A08,MR4A08,MR0D08

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Everspin SOIC MRAM封装指南

本指南详细介绍了Everspin SOIC封装的MRAM产品，包括其符合的环境法规和指令、多次回流循环和防潮性能、推荐的回流温度和时间、热阻以及封装轮廓图。指南还提供了修订历史和联系方式。

EVERSPIN -  Package Information  - Revision 2.2  - 3/2018

Everspin冲突矿产政策

Everspin Technologies致力于遵守最佳道德和社会责任实践，包括全面遵守2010年通过的《多德-弗兰克华尔街改革和消费者保护法》第1502节，要求公开披露使用“冲突矿产”的情况。公司通过与其战略供应商紧密合作，对冲突矿产的来源、来源和保管链进行尽职调查，以确定这些矿产是否来自刚果民主共和国或其邻国，并资助或从中受益。Everspin Technologies要求其直接供应商从负责任的生产商处采购材料，并建立替代供应商计划，以减少使用冲突矿产或其衍生物。

EVERSPIN -  Test Report  - April 22, 2019

Everspin SOIC MRAM Package Guide

EVERSPIN -  Package Information  - Revision 2.0  - 8/2015

Everspin’s State-of-the-Art MRAM Technology How Everspin’s Patented MRAM Memory Technology

EVERSPIN -  Technical Documentation  - January 2018   Part# :MR2A08A,MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR256DL08B,MR0A08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4

Everspin进入全球首个28 nm 1 Gb STT-MRAM组件的试生产阶段

Everspin Technologies宣布其28纳米1 Gb Spin Torque Transfer Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM)产品已进入试生产阶段。该产品扩展了Everspin在STT-MRAM领域的领导地位，并以其更高的密度和基于DDR4的接口为顾客提供了新的可能性。该产品能够提高企业基础设施和数据中心的系统可靠性和性能，同时提供无超电容或电池的电源损失保护。

EVERSPIN -  Technical Documentation  - 2019/06/27

Magnetic Field Immunity of Everspin MRAM

EVERSPIN -  Technical Documentation  - 7/2015   Part# :MR2A08A,MR4A08B,MR256A08B,MR10Q010,MR4A16B,MR2A16A,MR20H40,MR0A16A,MR25H10,MR25H40,MR0A08B,MR25H256

Everspin和Phison合作伙伴将向下一代企业级SSD控制器提供Pin transfer Torque MRAM

Everspin Technologies与Phison Electronics合作，将Everspin的1 Gb STT-MRAM内存集成到Phison下一代企业级SSD控制器中。这一合作旨在提高存储系统的可靠性和性能，通过无需使用超级电容器或电池来保护数据，实现高性能数据持久性。Phison作为NAND闪存控制器的市场领导者，其控制器与Everspin的1 Gb STT-MRAM结合，为存储系统设计者提供了更有效的I/O流管理，显著提升了服务质量。Everspin和Phison将在Flash Memory Summit会议上举办技术研讨会，探讨MRAM在企业应用中的用例。

EVERSPIN -  Technical Documentation  - July 24, 2019

Everspin 24-ball BGA MRAM Package

EVERSPIN -  Package Information  - Revision 1.0,  - 5/2018

Everspin MRAM DFN Package Guide

EVERSPIN -  Package Information  - Revision 1.2  - April 12, 2018

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Everspin TSOP2 MRAM Package Guide

EVERSPIN -  Package Information  - Revision 1.3,  - 4/2018

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Everspin REACH Statement February 15.2017

EVERSPIN -  Test Report  - February 15.2017

Everspin REACH Statement August 3, 2018

EVERSPIN -  Test Report  - August 3, 2018

Everspin REACH Statement March27, 2018

EVERSPIN -  Test Report  - March27, 2018

Everspin REACH Statement October 11,2017

EVERSPIN -  Test Report  - October 11,2017

EverspinR每条语句

Everspin Technologies根据REACH法规，确认其产品中不含有SVHC（高度关注物质）超过0.1%的情况。尽管欧盟更新了SVHC候选清单，但Everspin的产品材料中未检测到这些物质。Everspin将继续遵守REACH法规，并通知客户产品成分的任何变化。

EVERSPIN -  Test Report  - February 25, 2019

Replacing the Cypress CY62168EV30LL-45BVXI MoBL SRAM with Everspin MR4A08B MRAM

EVERSPIN -  Application note & Design Guide  - 3/2013   Part# :MR4A08B,CY62168EV30LL-45BVXI,MR4A08BMA35

Replacing the Cypress CY14B104LA-ZS/BA45xxx nvSRAM with Everspin MR2A08AxYS/MA35 MRAM

EVERSPIN -  Application note & Design Guide  - 3/2013   Part# :MR2A08A,CY14B104LA-ZS/BA45XXX,MR2A08AXYS/MA35,MR2A08AXYS/MA35XXX

MR25H00-EVAL Everspin SPI MRAM Evaluation Board User Guide

EVERSPIN -  User's Guide  - Revision 1.0  - 2/2016   Part# :MR25H10,MR25H40,MR25H256,MR25H00-EVAL

MR10Q010-EVAL1 Everspin Quad SPI MRAM Evaluation Board User Guide

EVERSPIN -  User's Guide  - Revision 1.0,  - 2/2016   Part# :STM32F476RGT6,MR10Q010SC,MR10Q010CMB,MR10Q010MB,MR10Q010CSC,MR10Q010-EVAL1

Everspin Serial Peripheral Interface (SPI) MRAM Evaluation Board Guide

EVERSPIN -  User's Guide  - Revision 2.1  - 10/2015   Part# :MR10Q010,MR20H40,MR25H10,MR25H40,MR25H256

Everspin 64Mb DDR3 Spin-Torque MRAM EMD3D064M08B1

EVERSPIN -  Datasheet  - Revision 0.5  - 11/2016   Part# :EMD3D064M08B1

Everspin 256Mb DDR3 Spin-Torque MRAM EMD3D256M[08G1/16G2]

EVERSPIN -  Datasheet  - Revision 0.1  - 11/2016   Part# :EMD3D256M

Everspin nvNITRO™ Storage Accelerator U.2 ES1GB-U201

EVERSPIN -  Datasheet  - 4/2018   Part# :ES1GB-U201

Everspin nvNITRO™ Accelerators M.2 ES512MB-M201, ES1GB-M201, ES2GB-M201 Product Brief

EVERSPIN -  Datasheet  - 5/2017   Part# :ES1GB-M201,ES2GB-M201,ES512MB-M201

1 Mb High Speed Quad SPI MRAM MR10Q010

EVERSPIN -  Datasheet  - Revision 5.6  - 6/2018   Part# :MR10Q010,MR10Q010CMBR,MR10Q010VMB,MR10Q010VSC,MR10Q010SC,MR10Q010VSCR,MR10Q010SCR,MR10Q010MB,MR10Q010VMBR,MR10Q010MBR,MR10Q010CMB,MR10Q010CSC,MR10Q010

MR20H40 / MR25H40

EVERSPIN -  Datasheet  - Revision 12.4  - 3/2018   Part# :MR25H40CDCR,MR25H40CDF,MR25H40VDFR,MR25H40VDF,MR20H40,MR25H40CDFR,MR20H40CDFR,MR25H40,MR25H40MDF,MR20H40CDF,MR25H40CDC,MR25H40MDFR

256Kb Serial SPI MRAM MR25H256 / MR25H256A

EVERSPIN -  Datasheet  - Rev. 1.5  - 3/2018   Part# :MR25H256AMDFR,MR25H256A,MR25H256APDF,MR25H256AMDF,MR25H256CDFR,MR25H256,MR25H256CDCR,MR25H256CDC,MR25H256ACDF,MR25H256CDF,MR25H256MDCR,MR25H256ACDFR,M

产品停产政策

Everspin Technologies于2019年3月26日实施产品淘汰政策。该政策规定，在产品淘汰前至少提前6个月通知客户，并协调最后一次购买（LTB）事宜。客户需在通知后6个月内提交最终LTB采购订单，订单不可取消或退货，最终订单交付时间不晚于产品淘汰通知日期后的12个月。在产品安全、法规或其他合规性要求的情况下，Everspin可能修改此产品淘汰政策。

EVERSPIN -  PCN/EOL  - March 26, 2019

OSE产品和工艺变更通知单中1Mb（x16）和4Mb（x8和x16）TSOP-44p包装的模具附加材料变更。

Everspin Technologies宣布对1Mb (x16)和4Mb (x8 and x16) TSOP-44p封装的BLT1和BLT3芯片粘合材料进行变更，由Nitto EM-700 DAF更换为Sumitomo CRM-1050B，以提升制造效率。变更影响的产品包括多种温度等级和汽车级产品，预计首次发货日期为2019年3月14日。变更已通过供应商质量计划，并已提供样本。

EVERSPIN -  PCN/EOL  - 3/14/2019   Part# :MR2A08AYS35R,MR2A16ACYS35,MR2A16AYS35R,MR2A16AMYS35,MR0A16AYS35,MR0A16AYS35R,MR2A16AVYS35,MR2A16AYS35,MR2A08AMYS35,MR2A08AMYS35R,MR2A16AMYS35R,MR0A16A

Product and Process Change Notice Qualification of UTAC as an Assembly Site for BGA-24 Package

EVERSPIN -  PCN/EOL  - 1/29/2018   Part# :MR10Q010CMBR,MR10Q010VMB,MR10Q010MBR,MR10Q010CMB,MR10Q010MB,MR10Q010VMBR

Product and Process Change Notice Additional Assembly Site for 16Mb (x8) TSOP-44 Package

EVERSPIN -  PCN/EOL  - 12/22/2016   Part# :MR4A08BYS35R,MR4A08BCYS35R,MR4A08BYS35,MR4A08BCYS35

Product and Process Change Notice Qualification of Amkor Philippines (ATP) as an Assembly Site for DFN small flag Package

EVERSPIN -  PCN/EOL  - 12/23/2016   Part# :MR25H10CDFR,MR25H40VDFR,MR25H40VDF,MR25H40CDFR,MR20H40CDFR,MR25H256CDFR,MR25H40MDF,MR25H10CDF,MR25H40MDFR,MR25H10MDFR,MR25H40CDF,MR25H256CDF,MR25H256M

Product/Process Change Notice Add ASE Malaysia as a qualified source of the BGA package 02370

EVERSPIN -  PCN/EOL  - February 4.2013   Part# :MR2A16ACMA35,MR2A16AMA35,MR2A16AVMA35,MR0A16AMA35,MR0A16AVMA35,MR0A16ACMA35

Product/Process Change Notice Mold Compound Change for 44pin TSOP2 for ASE-KH

EVERSPIN -  PCN/EOL  - December 15.2014   Part# :MR2A08AYS35R,MR2A16AYS35R,MR256A08BCYS35R,MR0A08BYS35R,MR4A08BCYS35R,MR0A16AYS35,MR2A16AYS35,MR2A08AYS35,MR0A08BYS35,MR256A08BYS35R,MR2A08ACYS35,MR0A1

Product/Process Change Notice Add OSE as a qualified assembly subcontractor

EVERSPIN -  PCN/EOL  - May 30, 2014   Part# :MR2A08AYS35R,MR2A16AYS35R,MR256A08BCYS35R,MR0A08BYS35R,MR0A16AYS35,MR2A08MYS35R,MR2A16AYS35,MR2A08AYS35,MR0A08BYS35,MR256A08BYS35R,MR2A08ACYS35,MR0A16

Product and Process Change Notice Additional Assembly Site for 16Mb (x16) 54p TSOP Package

EVERSPIN -  PCN/EOL  - 10/5/2016   Part# :MR4A16BCYS35R,MR4A16BYS35,MR4A16BYS35R,MR4A16BCYS35

切换MRAM磁阻随机存取存储器手册

Everspin公司介绍其专利MRAM（磁阻随机存取存储器）技术，该技术具有快速读写、非易失性和无限耐用性。MRAM基于磁性存储元件，使用磁性隧道结（MTJ）作为存储单元。该技术适用于RAID应用、工业和机器接口应用，以及要求严格的交通应用。Everspin MRAM具有高可靠性，适用于游戏系统和专业音频设备。资料中还包括了Everspin MRAM产品的详细规格和应用案例。

EVERSPIN -  Supplier and Product Introduction  - July 2019   Part# :MR2A08A,MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR256DL08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4A16BUYS4
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